SI5419DU-T1-GE3 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa SI5419DU-T1-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SI5419DU-T1-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng SI5419DU-T1-GE3 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
SI5419DU-T1-GE3
- Numero ng Bahagi:
- SI5419DU-T1-GE3
- Manufacturer:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Paglalarawan:
- MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 31032 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- SI5419DU-T1-GE3.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier aparato Package: | 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
| serye: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Power pagwawaldas (Max): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Kaso: | 8-PowerVDFN |
| Ibang pangalan: | SI5419DU-T1-GE3TR SI5419DUT1GE3 |
| operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| Type FET: | P-Channel |
| FET Tampok: | - |
| Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | 30V |
| Detalyadong Paglalarawan: | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa SI5419DU-T1-GE3
Latest News
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Ang unang quarter na ulat ng pinansiyal na ulat ng SEF Semiconductor (ST) ay bumababa, at ang demand para sa mga sasakyan ay bumagal
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Lokal na dami ng mature na chip, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasidad Malapit sa Pag -load