RT1C060UNTR ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa RT1C060UNTR, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa RT1C060UNTR sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng RT1C060UNTR sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
RT1C060UNTR
- Numero ng Bahagi:
- RT1C060UNTR
- Manufacturer:
- LAPIS Semiconductor
- Paglalarawan:
- MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 48252 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- RT1C060UNTR.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier aparato Package: | 8-TSST |
| serye: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Power pagwawaldas (Max): | 650mW (Ta) |
| packaging: | Cut Tape (CT) |
| Package / Kaso: | 8-SMD, Flat Lead |
| Ibang pangalan: | RT1C060UNCT RT1C060UNTRCT RT1C060UNTRCT-ND |
| operating Temperature: | 150°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 870pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Type FET: | N-Channel |
| FET Tampok: | - |
| Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | 20V |
| Detalyadong Paglalarawan: | N-Channel 20V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa RT1C060UNTR
Latest News
- Lumitaw ang braso sa Computex 2024: Inaasahan na higit sa 100 bilyong mga aparato ng braso ang maaaring magamit para sa AI sa pagtatapos ng 2025
- Inilunsad ng Qorvo ang natitirang mataas na mataas na 5G mmimo preliminary ng industriya
- Simulation Cycle Inventory Bottoming Out, Patuloy ang AI Drives Flash Memory Demand
- Plano ni Micron na bumuo ng isang pabrika, memorya ng flash ng NAND sa mataas na presyo o pagpapanatili
- Ang pagganap ng ADI ay nabawasan, ang mga substrate ng foil ng tanso ay tumaas, pag -iimbak ng orihinal na pagtaas ng pabrika ng konserbatibo
- Ang alon ng katalinuhan sa kotse ay darating, at tinulungan ni Aimus Oslang si Sagita Juguang na pinakawalan ang MX Lidar
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid