LSIC1MO120E0160 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa LSIC1MO120E0160, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa LSIC1MO120E0160 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng LSIC1MO120E0160 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
LSIC1MO120E0160
- Numero ng Bahagi:
- LSIC1MO120E0160
- Manufacturer:
- Hamlin / Littelfuse
- Paglalarawan:
- SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 24873 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- LSIC1MO120E0160.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 5mA |
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| teknolohiya: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier aparato Package: | TO-247-3 |
| serye: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 10A, 20V |
| Power pagwawaldas (Max): | 125W (Tc) |
| packaging: | Tube |
| Package / Kaso: | TO-247-3 |
| Ibang pangalan: | F11005 |
| operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Through Hole |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 29 Weeks |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 870pF @ 800V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 57nC @ 20V |
| Type FET: | N-Channel |
| FET Tampok: | - |
| Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | 1200V |
| Detalyadong Paglalarawan: | N-Channel 1200V 22A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa LSIC1MO120E0160
Latest News
- Plano ni Micron na bumuo ng isang pabrika, memorya ng flash ng NAND sa mataas na presyo o pagpapanatili
- Ang pagganap ng ADI ay nabawasan, ang mga substrate ng foil ng tanso ay tumaas, pag -iimbak ng orihinal na pagtaas ng pabrika ng konserbatibo
- Ang alon ng katalinuhan sa kotse ay darating, at tinulungan ni Aimus Oslang si Sagita Juguang na pinakawalan ang MX Lidar
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash