JAN1N3600 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa JAN1N3600, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa JAN1N3600 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng JAN1N3600 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
JAN1N3600
- Numero ng Bahagi:
- JAN1N3600
- Manufacturer:
- Microsemi
- Paglalarawan:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
- Lead Free Status:
- Naglalaman ng lead / RoHS di-sang-ayon
- Stock Quantity:
- 29680 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- JAN1N3600.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Boltahe - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Boltahe - Forward (Vf) (Max) @ Kung: | 200mA (DC) |
| Boltahe - Breakdown: | DO-7 |
| serye: | Military, MIL-PRF-19500/231 |
| RoHS Status: | Bulk |
| Reverse Recovery Time (trr): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Resistance @ Kung, F: | - |
| polariseysyon: | DO-204AA, DO-7, Axial |
| Ibang pangalan: | 1086-16797 1086-16797-MIL |
| Operating Temperature - Junction: | 4ns |
| Salalayan Type: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Manufacturer Bilang Bahagi: | JAN1N3600 |
| Ang pinalawak Paglalarawan: | Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-7 |
| diode Configuration: | 100nA @ 50V |
| paglalarawan: | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 |
| Current - Reverse pagtagas @ Vr: | 1V @ 200mA |
| Kasalukuyang - Average rectified (Io) (per Diode): | 50V |
| Kapasidad @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa JAN1N3600
| larawan | Numero ng Bahagi | Mga Tagagawa | Paglalarawan | Tingnan |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3671A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Pagtatanong |
 |
JAN1N3613 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Pagtatanong |
 |
JAN1N3614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | Pagtatanong |
|
JAN1N3595AUS | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA | Pagtatanong |
 |
JAN1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE SW 125V 150MA DO35 | Pagtatanong |
|
JAN1N3330B | Microsemi | DIODE ZENER 47V 50W DO5 | Pagtatanong |
|
JAN1N3645 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL | Pagtatanong |
|
JAN1N3325B | Microsemi | DIODE ZENER 33V 50W DO5 | Pagtatanong |
|
JAN1N3339B | Microsemi | DIODE ZENER 50W DO-203AB | Pagtatanong |
|
JAN1N3644 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL | Pagtatanong |
 |
JAN1N3612 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Pagtatanong |
 |
JAN1N3611 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Pagtatanong |
|
JAN1N3595UR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | Pagtatanong |
|
JAN1N3326B | Microsemi | DIODE ZENER 36V 50W DO5 | Pagtatanong |
|
JAN1N3647 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL | Pagtatanong |
 |
JAN1N3338B | Microsemi | DIODE ZENER 82V 50W DO203AB | Pagtatanong |
|
JAN1N3595A-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | Pagtatanong |
|
JAN1N3671AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Pagtatanong |
|
JAN1N3646 | Microsemi | DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL | Pagtatanong |
|
JAN1N3595AUR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | Pagtatanong |
Latest News
- Plano ni Micron na bumuo ng isang pabrika, memorya ng flash ng NAND sa mataas na presyo o pagpapanatili
- Ang pagganap ng ADI ay nabawasan, ang mga substrate ng foil ng tanso ay tumaas, pag -iimbak ng orihinal na pagtaas ng pabrika ng konserbatibo
- Ang alon ng katalinuhan sa kotse ay darating, at tinulungan ni Aimus Oslang si Sagita Juguang na pinakawalan ang MX Lidar
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash