HUF75639G3 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa HUF75639G3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa HUF75639G3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng HUF75639G3 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
HUF75639G3
- Numero ng Bahagi:
- HUF75639G3
- Manufacturer:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Paglalarawan:
- MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 36935 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- HUF75639G3.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier aparato Package: | TO-247 |
| serye: | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 56A, 10V |
| Power pagwawaldas (Max): | 200W (Tc) |
| packaging: | Tube |
| Package / Kaso: | TO-247-3 |
| Ibang pangalan: | HUF75639G3-ND HUF75639G3FS |
| operating Temperature: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Through Hole |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 20V |
| Type FET: | N-Channel |
| FET Tampok: | - |
| Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | 100V |
| Detalyadong Paglalarawan: | N-Channel 100V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 56A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa HUF75639G3
Latest News
- Lumitaw ang braso sa Computex 2024: Inaasahan na higit sa 100 bilyong mga aparato ng braso ang maaaring magamit para sa AI sa pagtatapos ng 2025
- Inilunsad ng Qorvo ang natitirang mataas na mataas na 5G mmimo preliminary ng industriya
- Simulation Cycle Inventory Bottoming Out, Patuloy ang AI Drives Flash Memory Demand
- Plano ni Micron na bumuo ng isang pabrika, memorya ng flash ng NAND sa mataas na presyo o pagpapanatili
- Ang pagganap ng ADI ay nabawasan, ang mga substrate ng foil ng tanso ay tumaas, pag -iimbak ng orihinal na pagtaas ng pabrika ng konserbatibo
- Ang alon ng katalinuhan sa kotse ay darating, at tinulungan ni Aimus Oslang si Sagita Juguang na pinakawalan ang MX Lidar
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid