FM22L16-55-TG ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa FM22L16-55-TG, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa FM22L16-55-TG sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng FM22L16-55-TG sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
FM22L16-55-TG
- Numero ng Bahagi:
- FM22L16-55-TG
- Manufacturer:
- Cypress Semiconductor
- Paglalarawan:
- IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 52492 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- FM22L16-55-TG.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Sumulat Cycle Time - Word, Pahina: | 110ns |
| Boltahe - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| teknolohiya: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Supplier aparato Package: | 44-TSOP II |
| serye: | F-RAM™ |
| packaging: | Tray |
| Package / Kaso: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Ibang pangalan: | FM22L16-55-TGRA FM22L1655TG |
| operating Temperature: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type memory: | Non-Volatile |
| Size memory: | 4Mb (256K x 16) |
| memory Interface: | Parallel |
| memory Format: | FRAM |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detalyadong Paglalarawan: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 110ns 44-TSOP II |
| Numero ng Base Bahagi: | FM22L16 |
| Access Time: | 110ns |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa FM22L16-55-TG
Latest News
- Inilunsad ng Qorvo ang natitirang mataas na mataas na 5G mmimo preliminary ng industriya
- Simulation Cycle Inventory Bottoming Out, Patuloy ang AI Drives Flash Memory Demand
- Plano ni Micron na bumuo ng isang pabrika, memorya ng flash ng NAND sa mataas na presyo o pagpapanatili
- Ang pagganap ng ADI ay nabawasan, ang mga substrate ng foil ng tanso ay tumaas, pag -iimbak ng orihinal na pagtaas ng pabrika ng konserbatibo
- Ang alon ng katalinuhan sa kotse ay darating, at tinulungan ni Aimus Oslang si Sagita Juguang na pinakawalan ang MX Lidar
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC