FGH40N120ANTU ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa FGH40N120ANTU, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa FGH40N120ANTU sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng FGH40N120ANTU sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
FGH40N120ANTU
- Numero ng Bahagi:
- FGH40N120ANTU
- Manufacturer:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Paglalarawan:
- IGBT 1200V 64A 417W TO247
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 35804 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- FGH40N120ANTU.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Boltahe - Kolektor Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.2V @ 15V, 40A |
| Test Kundisyon: | 600V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 15ns/110ns |
| Ang paglipat Energy: | 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Supplier aparato Package: | TO-247 |
| serye: | - |
| Power - Max: | 417W |
| packaging: | Tube |
| Package / Kaso: | TO-247-3 |
| operating Temperature: | - |
| Salalayan Type: | Through Hole |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type input: | Standard |
| Type IGBT: | NPT |
| gate charge: | 220nC |
| Detalyadong Paglalarawan: | IGBT NPT 1200V 64A 417W Through Hole TO-247 |
| Current - Kolektor Pulsed (Icm): | 160A |
| Current - kolektor (Ic) (Max): | 64A |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa FGH40N120ANTU
Latest News
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Ang unang quarter na ulat ng pinansiyal na ulat ng SEF Semiconductor (ST) ay bumababa, at ang demand para sa mga sasakyan ay bumagal
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Lokal na dami ng mature na chip, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasidad Malapit sa Pag -load