DRV5013FAEDBZRQ1 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa DRV5013FAEDBZRQ1, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa DRV5013FAEDBZRQ1 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng DRV5013FAEDBZRQ1 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
DRV5013FAEDBZRQ1
- Numero ng Bahagi:
- DRV5013FAEDBZRQ1
- Manufacturer:
- TI
- Paglalarawan:
- MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 40769 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- DRV5013FAEDBZRQ1.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Boltahe - Supply: | 2.7 V ~ 38 V |
| Test Kundisyon: | -40°C ~ 125°C |
| teknolohiya: | Hall Effect |
| Supplier aparato Package: | SOT-23-3 |
| serye: | Automotive, AEC-Q100 |
| sensing Range: | 1.3mT Trip, -1.3mT Release |
| polariseysyon: | North Pole, South Pole |
| packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Kaso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Type output: | Open Drain |
| Ibang pangalan: | 296-44796-2 DRV5013FAEDBZRQ1-ND |
| operating Temperature: | -40°C ~ 125°C |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 22 Weeks |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| tungkulin: | Latch |
| Mga tampok: | - |
| Detalyadong Paglalarawan: | Digital Switch Latch Open Drain Hall Effect SOT-23-3 |
| Current - Supply (Max): | 3.5mA |
| Current - Output (Max): | 1µA |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa DRV5013FAEDBZRQ1
Latest News
- Inilunsad ng Qorvo ang natitirang mataas na mataas na 5G mmimo preliminary ng industriya
- Simulation Cycle Inventory Bottoming Out, Patuloy ang AI Drives Flash Memory Demand
- Plano ni Micron na bumuo ng isang pabrika, memorya ng flash ng NAND sa mataas na presyo o pagpapanatili
- Ang pagganap ng ADI ay nabawasan, ang mga substrate ng foil ng tanso ay tumaas, pag -iimbak ng orihinal na pagtaas ng pabrika ng konserbatibo
- Ang alon ng katalinuhan sa kotse ay darating, at tinulungan ni Aimus Oslang si Sagita Juguang na pinakawalan ang MX Lidar
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC