CY62167GE18-55BVXI ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa CY62167GE18-55BVXI, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa CY62167GE18-55BVXI sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng CY62167GE18-55BVXI sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
CY62167GE18-55BVXI
- Numero ng Bahagi:
- CY62167GE18-55BVXI
- Manufacturer:
- Cypress Semiconductor
- Paglalarawan:
- IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 39771 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- CY62167GE18-55BVXI.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Sumulat Cycle Time - Word, Pahina: | 55ns |
| Boltahe - Supply: | 1.65 V ~ 2.2 V |
| teknolohiya: | SRAM - Asynchronous |
| Supplier aparato Package: | 48-VFBGA (6x8) |
| serye: | MoBL® |
| packaging: | Tray |
| Package / Kaso: | 48-VFBGA |
| operating Temperature: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type memory: | Volatile |
| Size memory: | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
| memory Interface: | Parallel |
| memory Format: | SRAM |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detalyadong Paglalarawan: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Parallel 55ns 48-VFBGA (6x8) |
| Access Time: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa CY62167GE18-55BVXI
Latest News
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Ang unang quarter na ulat ng pinansiyal na ulat ng SEF Semiconductor (ST) ay bumababa, at ang demand para sa mga sasakyan ay bumagal
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Lokal na dami ng mature na chip, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasidad Malapit sa Pag -load