CIGW252010GL3R3MNE ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa CIGW252010GL3R3MNE, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa CIGW252010GL3R3MNE sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng CIGW252010GL3R3MNE sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
CIGW252010GL3R3MNE
- Numero ng Bahagi:
- CIGW252010GL3R3MNE
- Manufacturer:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Paglalarawan:
- FIXED IND 3.3UH 1.8A 112MOHM
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 55514 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- CIGW252010GL3R3MNE.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| uri: | Wirewound |
| pagpapaubaya: | ±20% |
| Supplier aparato Package: | 1008 (2520 Metric) |
| Sukat / Dimension: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| shielding: | Unshielded |
| serye: | CIGW |
| Ratings: | - |
| Q @ Freq: | - |
| packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Kaso: | 1008 (2520 Metric) |
| Ibang pangalan: | 1276-6934-2 |
| operating Temperature: | -40°C ~ 125°C |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Core: | Metal Composite |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inductance Frequency - Test: | 1MHz |
| inductance: | 3.3µH |
| Taas - Makaupo (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frequency - Self Resonant: | - |
| Mga tampok: | - |
| Detalyadong Paglalarawan: | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 112 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC pagtutol (DCR): | 112 mOhm Max |
| kasalukuyang Rating: | 1.8A |
| Current - Saturation: | 2.1A |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa CIGW252010GL3R3MNE
Latest News
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Ang unang quarter na ulat ng pinansiyal na ulat ng SEF Semiconductor (ST) ay bumababa, at ang demand para sa mga sasakyan ay bumagal
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Lokal na dami ng mature na chip, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasidad Malapit sa Pag -load