ZE11899-XXX er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for ZE11899-XXX, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for ZE11899-XXX via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp ZE11899-XXX med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
ZE11899-XXX
- Delenummer:
- ZE11899-XXX
- Produsent:
- Pulse Electronics Corporation
- Beskrivelse:
- IC CHIP
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 44330 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- ZE11899-XXX.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Serie: | * |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | Vendor Undefined |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til ZE11899-XXX
Latest News
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning
- Vishay lanserer miniled emballasje høy lysstyrke liten blå og ren grønn LED
- Ansonmei lanserte en induktiv posisjonssensor for industri- og transportmarkedet
- Ruisa starter den gamle fabrikken for å øke kraftanordningen, jordskjelvet påvirker dramproduksjonen mildt
- Microchip muliggjør produksjonskapasiteten til TSMC og øker prisøkningen
- Ruisa lanserte den nye RA0 -serien Ultra -Low Power Entry -MCU -nivå MCU
- Melexis lanserer en full -integrert induktorbryterbrikke
- X-FAB introduserer bildesensor tilbake belysningsteknologi for å forbedre CMOS-sensorytelsen