T512F er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for T512F, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for T512F via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp T512F med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Struktur: | - |
| Serie: | - |
| emballasje: | Bulk |
| Pakke / tilfelle: | Module |
| Andre navn: | CC2581 T512F-ND |
| Driftstemperatur: | - |
| Antall SCR, Diodes: | - |
| Monteringstype: | - |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaljert beskrivelse: | SCR Module Module |
| Gjeldende - Ikke Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): | - |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til T512F
Latest News
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning