STW80NE06-10 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for STW80NE06-10, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for STW80NE06-10 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp STW80NE06-10 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
STW80NE06-10
- Delenummer:
- STW80NE06-10
- Produsent:
- STMicroelectronics
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
- Lead Free Status:
- Inneholder bly / RoHS ikke-kompatibel
- Lager Antall:
- 52846 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- STW80NE06-10.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-247-3 |
| Serie: | STripFET™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 40A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 250W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-247-3 |
| Andre navn: | 497-2790-5 |
| Driftstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 7600pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 189nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 60V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 60V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til STW80NE06-10
Latest News
- Arm dukket opp i Computex 2024: Det forventes at mer enn 100 milliarder armenheter kan brukes til AI innen slutten av 2025
- Qorvo lanserte bransjens enestående høye 5G MMIMO -preliminarier
- Simuleringssyklusinventarbunn, AI driver Flash Memory -etterspørselen fortsetter
- Microns plan om å bygge en fabrikk, NAND flashminne til høye priser eller vedlikehold
- ADI -ytelsen er redusert, kobberfolieunderlag har steget, lagring av original fabrikkøkningsproduksjon konservativ
- Bølgen av intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med å frigjøre MX Lidar
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk