SISS12DN-T1-GE3 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for SISS12DN-T1-GE3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for SISS12DN-T1-GE3 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp SISS12DN-T1-GE3 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
SISS12DN-T1-GE3
- Delenummer:
- SISS12DN-T1-GE3
- Produsent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 49923 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- SISS12DN-T1-GE3.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (maks): | +20V, -16V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | PowerPAK® 1212-8S |
| Serie: | TrenchFET® Gen IV |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 1.98 mOhm @ 10A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| emballasje: | Cut Tape (CT) |
| Pakke / tilfelle: | PowerPAK® 1212-8S |
| Andre navn: | SISS12DN-T1-GE3CT |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 4270pF @ 20V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 89nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 40V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 40V 37.5A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 37.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til SISS12DN-T1-GE3
Latest News
- Qorvo lanserte bransjens enestående høye 5G MMIMO -preliminarier
- Simuleringssyklusinventarbunn, AI driver Flash Memory -etterspørselen fortsetter
- Microns plan om å bygge en fabrikk, NAND flashminne til høye priser eller vedlikehold
- ADI -ytelsen er redusert, kobberfolieunderlag har steget, lagring av original fabrikkøkningsproduksjon konservativ
- Bølgen av intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med å frigjøre MX Lidar
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen