SI2335DS-T1-E3 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for SI2335DS-T1-E3, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for SI2335DS-T1-E3 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp SI2335DS-T1-E3 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
SI2335DS-T1-E3
- Delenummer:
- SI2335DS-T1-E3
- Produsent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beskrivelse:
- MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 22627 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- SI2335DS-T1-E3.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (maks): | ±8V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 51 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Strømdissipasjon (maks): | 750mW (Ta) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andre navn: | SI2335DS-T1-E3-ND SI2335DS-T1-E3TR SI2335DST1E3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 1225pF @ 6V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
| FET Type: | P-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 1.8V, 4.5V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 12V |
| Detaljert beskrivelse: | P-Channel 12V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til SI2335DS-T1-E3
Latest News
- Qorvo lanserte bransjens enestående høye 5G MMIMO -preliminarier
- Simuleringssyklusinventarbunn, AI driver Flash Memory -etterspørselen fortsetter
- Microns plan om å bygge en fabrikk, NAND flashminne til høye priser eller vedlikehold
- ADI -ytelsen er redusert, kobberfolieunderlag har steget, lagring av original fabrikkøkningsproduksjon konservativ
- Bølgen av intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med å frigjøre MX Lidar
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen