NTMFS6H801NT1G er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for NTMFS6H801NT1G, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for NTMFS6H801NT1G via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp NTMFS6H801NT1G med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
NTMFS6H801NT1G
- Delenummer:
- NTMFS6H801NT1G
- Produsent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beskrivelse:
- TRENCH 8 80V NFET
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 36584 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- NTMFS6H801NT1G.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 2.8 mOhm @ 50A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 3.8W (Ta), 166W (Tc) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Andre navn: | NTMFS6H801NT1G-ND NTMFS6H801NT1GOSTR |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 42 Weeks |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 4120pF @ 40V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 6V, 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 80V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 80V 23A (Ta), 157A (Tc) 3.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 23A (Ta), 157A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til NTMFS6H801NT1G
Latest News
- Simuleringssyklusinventarbunn, AI driver Flash Memory -etterspørselen fortsetter
- Microns plan om å bygge en fabrikk, NAND flashminne til høye priser eller vedlikehold
- ADI -ytelsen er redusert, kobberfolieunderlag har steget, lagring av original fabrikkøkningsproduksjon konservativ
- Bølgen av intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med å frigjøre MX Lidar
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet