JAN1N5552US er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for JAN1N5552US, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for JAN1N5552US via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp JAN1N5552US med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
JAN1N5552US
- Delenummer:
- JAN1N5552US
- Produsent:
- Microsemi
- Beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
- Lead Free Status:
- Inneholder bly / RoHS ikke-kompatibel
- Lager Antall:
- 44358 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- JAN1N5552US.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Spenning - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Spenning - Videresend (Vf) (Maks) @ Hvis: | 3A |
| Spenning - Fordeling: | D-5B |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| RoHS Status: | Bulk |
| Omvendt gjenopprettingstid (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Motstand @ Hvis, F: | - |
| polarisering: | SQ-MELF, B |
| Andre navn: | 1086-19414 1086-19414-MIL |
| Driftstemperatur - Kobling: | 2µs |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Produsentens varenummer: | JAN1N5552US |
| Utvidet beskrivelse: | Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B |
| Diode Konfigurasjon: | 1µA @ 600V |
| Beskrivelse: | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF |
| Strøm - Omvendt lekkasje @ Vr: | 1.2V @ 9A |
| Gjeldende - Gjennomsnittlig Rectified (Io) (per diode): | 600V |
| Kapasitans @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til JAN1N5552US
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5551 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5546CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | Forespørsel |
 |
JAN1N5616US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | Forespørsel |
|
JAN1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Forespørsel |
|
JAN1N5552 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Forespørsel |
|
JAN1N5550US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | Forespørsel |
|
JAN1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | Forespørsel |
 |
JAN1N5616 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5614US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | Forespørsel |
|
JAN1N5546DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | Forespørsel |
|
JAN1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF | Forespørsel |
|
JAN1N5546BUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA | Forespørsel |
 |
JAN1N5550 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5546C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | Forespørsel |
|
JAN1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5554US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B | Forespørsel |
|
JAN1N5554 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | Forespørsel |
 |
JAN1N5614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Forespørsel |
|
JAN1N5546D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | Forespørsel |
 |
JAN1N5615US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A | Forespørsel |
Latest News
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning