IRF6601 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for IRF6601, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for IRF6601 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp IRF6601 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
IRF6601
- Delenummer:
- IRF6601
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
- Lead Free Status:
- Inneholder bly / RoHS ikke-kompatibel
- Lager Antall:
- 42193 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- IRF6601.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (maks): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | DIRECTFET™ MT |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 26A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | DirectFET™ Isometric MT |
| Andre navn: | IRF6601TR |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 3440pF @ 15V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 20V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 20V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 26A (Ta), 85A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til IRF6601
Latest News
- Arm dukket opp i Computex 2024: Det forventes at mer enn 100 milliarder armenheter kan brukes til AI innen slutten av 2025
- Qorvo lanserte bransjens enestående høye 5G MMIMO -preliminarier
- Simuleringssyklusinventarbunn, AI driver Flash Memory -etterspørselen fortsetter
- Microns plan om å bygge en fabrikk, NAND flashminne til høye priser eller vedlikehold
- ADI -ytelsen er redusert, kobberfolieunderlag har steget, lagring av original fabrikkøkningsproduksjon konservativ
- Bølgen av intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med å frigjøre MX Lidar
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk