BUK9Y3R0-40E,115 er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for BUK9Y3R0-40E,115, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for BUK9Y3R0-40E,115 via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp BUK9Y3R0-40E,115 med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
BUK9Y3R0-40E,115
- Delenummer:
- BUK9Y3R0-40E,115
- Produsent:
- Nexperia
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 28756 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- BUK9Y3R0-40E,115.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (maks): | ±10V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Enhetspakke: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Strømdissipasjon (maks): | 194W (Tc) |
| emballasje: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfelle: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Andre navn: | 1727-1499-2 568-10979-2 568-10979-2-ND 934067043115 BUK9Y3R0-40E,115-ND |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 5962pF @ 25V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 35.5nC @ 5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 5V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 40V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 40V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til BUK9Y3R0-40E,115
Latest News
- Simuleringssyklusinventarbunn, AI driver Flash Memory -etterspørselen fortsetter
- Microns plan om å bygge en fabrikk, NAND flashminne til høye priser eller vedlikehold
- ADI -ytelsen er redusert, kobberfolieunderlag har steget, lagring av original fabrikkøkningsproduksjon konservativ
- Bølgen av intelligens i bilen kommer, og Aimus Oslang hjalp Sagita Juguang med å frigjøre MX Lidar
- HBM -produksjonskapasitet er ekskludert, dramminnet kan være mangelvare i andre halvår
- Wall -grunnleggere vil ende, HBM eller føre til at dramen øker igjen
- AI mobiltelefon- og PC -utvidelsesbehov, Global halvlederproduksjonsindustri forbedring
- Forstå behovene til ADAS og hytteovervåkningssystemer for bildesikkerhetssensorer
- Det ryktes at Samsung og SK Hynix stoppet DDR3, og promoteringssitatet steg med 20 %
- Melexis utgitt MLX90427: Linjekontroll til nytt valg, trygg, effektiv og økonomisk
- NXP og Ansonmeis økonomiske rapport kunngjorde, og prisen på kobberprisene overføres til IC -bransjen
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet