BLF10M6135U er tilgjengelig nå!LYNTEAM-teknologi er strømforbindelsen for BLF10M6135U, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid.Vennligst send oss din kjøpsplan for BLF10M6135U via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Kjøp BLF10M6135U med LYNTEAM, spar penger og tid.
Vår epost: [email protected]
BLF10M6135U
- Delenummer:
- BLF10M6135U
- Produsent:
- Ampleon
- Beskrivelse:
- RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A
- Lead Free Status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antall:
- 40807 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Ledetid:
- 4-8 weeks
- Dataark:
- BLF10M6135U.pdf
Introduksjon
spesifikasjoner
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Opprinnelsesland | Contact us |
| Merkingskode | Send by email |
| Spenning - Test: | 28V |
| Spenningsvurdering: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Leverandør Enhetspakke: | LDMOST |
| Serie: | - |
| Power - Output: | 26.5W |
| emballasje: | Bulk |
| Pakke / tilfelle: | SOT-502A |
| Andre navn: | 934067991112 |
| Støy Figur: | - |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Free Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gevinst: | 21dB |
| Frekvens: | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| Detaljert beskrivelse: | RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W LDMOST |
| Nåværende vurdering: | - |
| Nåværende - Test: | 950mA |
| Email: | [email protected] |
Beslektede deler til BLF10M6135U
| Bilde | Delenummer | produsenter | Beskrivelse | Utsikt |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF10M6LS200U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | Forespørsel |
 |
BLF1043,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Forespørsel |
 |
BLF1046,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | Forespørsel |
 |
BLF145,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 27DB SOT123A | Forespørsel |
 |
BLF10M6160U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | Forespørsel |
|
BLF0910H9LS600J | Ampleon | BLF0910H9LS600/SOT502/REEL | Forespørsel |
|
BLF10M6200U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | Forespørsel |
|
BLF10M6LS160U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | Forespørsel |
 |
BLF10H6600PU | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | Forespørsel |
 |
BLF0910H6L500U | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A | Forespørsel |
 |
BLF0910H6LS500U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751 | Forespørsel |
 |
BLF174XR,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A | Forespørsel |
 |
BLF10H6600PSU | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | Forespørsel |
|
BLF1046,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | Forespørsel |
 |
BLF147,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 14DB SOT121B | Forespørsel |
|
BLF0910H9LS600U | Ampleon | BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY | Forespørsel |
|
BLF1721M8LS200U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | Forespørsel |
 |
BLF174XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B | Forespørsel |
|
BLF10M6LS135U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | Forespørsel |
|
BLF1043,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Forespørsel |
Latest News
- Moels Micro Electronics har satt opp nye kontorer i Taiwan, Kina for å utvide forretningsområdet
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Finansiell rapport fra første kvartal for SEF Semiconductor (ST) avtar, og etterspørselen etter biler har avtatt
- Ytelsen til Texas Instruments er fremdeles å bli styrket, og de to lagringsfabrikkene skyver nye flash -minneprodukter
- Lokal moden brikkevolum, Samsung Nand Flash Memory Production Capacity nær belastning
- Vishay lanserer miniled emballasje høy lysstyrke liten blå og ren grønn LED
- Ansonmei lanserte en induktiv posisjonssensor for industri- og transportmarkedet
- Ruisa starter den gamle fabrikken for å øke kraftanordningen, jordskjelvet påvirker dramproduksjonen mildt
- Microchip muliggjør produksjonskapasiteten til TSMC og øker prisøkningen
- Ruisa lanserte den nye RA0 -serien Ultra -Low Power Entry -MCU -nivå MCU
- Melexis lanserer en full -integrert induktorbryterbrikke
- X-FAB introduserer bildesensor tilbake belysningsteknologi for å forbedre CMOS-sensorytelsen