SI7106DN-T1-E3 is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor SI7106DN-T1-E3, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor SI7106DN-T1-E3 per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop SI7106DN-T1-E3 met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]
SI7106DN-T1-E3
- Onderdeel nummer:
- SI7106DN-T1-E3
- Fabrikant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
- Loodvrije status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- Voorraadhoeveelheid:
- 24470 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days
- Doorlooptijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- SI7106DN-T1-E3.pdf
Invoering
bestek
| Staat | New & Original, tested |
|---|---|
| Land van herkomst | Contact us |
| Markeringscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V |
| Vermogensverlies (Max): | 1.5W (Ta) |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | PowerPAK® 1212-8 |
| Andere namen: | SI7106DN-T1-E3TR SI7106DNT1E3 |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 27 Weeks |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 4.5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan): | 2.5V, 4.5V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 20V |
| gedetailleerde beschrijving: | N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 12.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor SI7106DN-T1-E3
Latest Nieuws
- ARM verscheen in Computex 2024: Er wordt verwacht dat meer dan 100 miljard ARM -apparaten tegen het einde van 2025 voor AI kunnen worden gebruikt
- Qorvo lanceerde de uitstekende high -gain 5G MMIMO -voorlopers van de industrie in de industrie
- Simulatiecyclus Inventaris Bottom Out, AI Drijft de vraag naar flash -geheugen gaat door
- Micron's plan om een fabriek, NAND Flash -geheugen te bouwen tegen hoge prijzen of onderhoud
- ADI -prestaties zijn verminderd, koperen folie -substraten zijn gestegen, de opslag van de oorspronkelijke fabrieksverhoging productie conservatief
- De golf van intelligentie in de auto komt eraan en Aimus Oslang hielp Sagita Juguang de MX LiDar uit te brengen
- HBM -productiecapaciteit is uitgesloten, DRAM -geheugen kan schaars zijn in de tweede helft van het jaar
- Wall -oprichters zullen eindigen, HBM of ervoor zorgen dat DRAM opnieuw stijgt
- AI Mobiele telefoon en pc -uitbreiding Vraag, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Begrijp de behoeften van ADA's en cabinebewakingssystemen voor sensoren voor netwerkbeveiliging.
- Het gerucht gaat dat Samsung en SK Hynix DDR3 hebben gestopt, en de promotie -citaat steeg met 20 %
- Melexis uitgebracht MLX90427: Line Control to New Choice, veilig, efficiënt en economisch