SI3437DV-T1-GE3
SI3437DV-T1-GE3
Onderdeel nummer:
SI3437DV-T1-GE3
Fabrikant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschrijving:
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
20395 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
SI3437DV-T1-GE3.pdf

Invoering

SI3437DV-T1-GE3 is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor SI3437DV-T1-GE3, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor SI3437DV-T1-GE3 per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop SI3437DV-T1-GE3 met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:6-TSOP
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:750 mOhm @ 1.4A, 10V
Vermogensverlies (Max):2W (Ta), 3.2W (Tc)
Packaging:Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere namen:SI3437DV-T1-GE3TR
SI3437DVT1GE3
Temperatuur:-55°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Standaard Levertijd:33 Weeks
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
FET Type:P-Channel
FET Feature:-
Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan):6V, 10V
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):150V
gedetailleerde beschrijving:P-Channel 150V 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments