RN2312(TE85L,F)
RN2312(TE85L,F)
Onderdeel nummer:
RN2312(TE85L,F)
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschrijving:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
39047 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
RN2312(TE85L,F).pdf

Invoering

RN2312(TE85L,F) is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor RN2312(TE85L,F), we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor RN2312(TE85L,F) per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop RN2312(TE85L,F) met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistor Type:PNP - Pre-Biased
Leverancier Device Pakket:USM
Serie:-
Weerstand - basis (R1):22 kOhms
Vermogen - Max:100mW
Packaging:Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:SC-70, SOT-323
Andere namen:RN2312(TE85LF)
RN2312(TE85LF)-ND
RN2312(TE85LF)TR
RN2312TE85LF
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Standaard Levertijd:16 Weeks
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Frequentie - Transition:200MHz
gedetailleerde beschrijving:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max):100mA
Base Part Number:RN231*
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments