QPA6489A is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor QPA6489A, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor QPA6489A per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop QPA6489A met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]
QPA6489A
- Onderdeel nummer:
- QPA6489A
- Fabrikant:
- RFMD
- Beschrijving:
- IC AMP HBT SIGE 3.5GHZ SOT-89
- Loodvrije status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- Voorraadhoeveelheid:
- 23252 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days
- Doorlooptijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- QPA6489A.pdf
Invoering
bestek
| Staat | New & Original, tested |
|---|---|
| Land van herkomst | Contact us |
| Markeringscode | Send by email |
| Voltage - Supply, Single / Dual (±): | 4.7 V ~ 5.5 V |
| Leverancier Device Pakket: | SOT-89 |
| slew Rate: | - |
| Serie: | - |
| Verpakking / doos: | TO-243AA |
| Output Type: | - |
| Andere namen: | QPA-6489A |
| Aantal circuits: | 1 |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 2 (1 Year) |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| gedetailleerde beschrijving: | Video Amp, 1 General Purpose SOT-89 |
| Current - Supply: | 75mA |
| toepassingen: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor QPA6489A
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
QPA0363A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 5GHZ SOT-363 | Onderzoek |
|
QPA0163L | RFMD | IC AMP HBT SIGE 1.3GHZ SOT-363 | Onderzoek |
 |
QPA8257 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | EMITTER-DETECTOR PR INVR TOT POL | Onderzoek |
|
QPA5389A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 4.5GHZ SOT-89 | Onderzoek |
|
QPA8258 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | EMITTER-DETECTOR PR BUFFER OC | Onderzoek |
|
QPA8259 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | EMITTER-DETECTOR PR INVERTER OC | Onderzoek |
|
QPA4486A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 4.5GHZ SOT-86 | Onderzoek |
|
QPA4363A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 4GHZ SOT-363 | Onderzoek |
|
QPA4563A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 2.5GHZ SOT-363 | Onderzoek |
|
QPA4263A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 3.5GHZ SOT-363 | Onderzoek |
|
QPA4586A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 4GHZ SOT-86 | Onderzoek |
 |
QPA3230 | RFMD | IC PWR DOUBLER 1.2GHZ SOT-115J | Onderzoek |
|
QPA8256 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | EMITTER-DETECTOR PR BUFF TOT POL | Onderzoek |
|
QPA2286A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 5GHZ SOT-86 | Onderzoek |
|
QPA1223 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | EMITTER-DETECOR HERMETIC PAIR | Onderzoek |
|
QPA4463A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 3.5GHZ SOT-363 | Onderzoek |
|
QPA2263A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 5GHZ SOT-363 | Onderzoek |
|
QPA5263A | RFMD | IC AMP HBT SIGE 4.5GHZ SOT-363 | Onderzoek |
 |
EL5524IRE-T7 | Intersil | IC BUFFER 4XGAMMA 5.4MA 14HTSSOP | Onderzoek |
|
QPA3240 | RFMD | IC PWR DOUBLER 1.2GHZ SOT-115J | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Mels Micro Electronics heeft een nieuwe kantoren opgezet in Taiwan, China om bedrijfsgebied uit te breiden
- De prestaties van Texas Instruments moeten nog worden gestimuleerd en de twee opslagfabrieken pushen nieuwe flash -geheugenproducten
- Het eerste kwartaal financieel rapport van de SEF Semiconductor (ST) neemt af en de vraag naar auto's is vertraagd
- De prestaties van Texas Instruments moeten nog worden gestimuleerd en de twee opslagfabrieken pushen nieuwe flash -geheugenproducten
- Lokaal volwassen chipvolume, Samsung Nand Flash -geheugenproductiecapaciteit nabij belasting
- Vishay lanceert miniled verpakking Hoge helderheid Kleine blauwe en pure groene LED
- Ansonmei lanceerde een inductieve positie -sensor voor de industriële en transportmarkt
- Ruisa begint de oude fabriek om het stroomapparaat te vergroten, de aardbeving beïnvloedt DRAM -uitvoer mild
- Microchip maakt de productiecapaciteit van TSMC mogelijk en verhoogt de prijsstijgingen
- Ruisa lanceerde de nieuwe RA0 -serie Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis lanceert een volledige -geïntegreerde inductorschakelaar chip
- X-fab introduceert beeldsensor terug verlichtingstechnologie om de prestaties van de CMOS-sensor te verbeteren