PSMN0R9-30YLDX is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor PSMN0R9-30YLDX, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor PSMN0R9-30YLDX per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop PSMN0R9-30YLDX met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]
PSMN0R9-30YLDX
- Onderdeel nummer:
- PSMN0R9-30YLDX
- Fabrikant:
- Nexperia
- Beschrijving:
- MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK
- Loodvrije status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- Voorraadhoeveelheid:
- 35494 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days
- Doorlooptijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- PSMN0R9-30YLDX.pdf
Invoering
bestek
| Staat | New & Original, tested |
|---|---|
| Land van herkomst | Contact us |
| Markeringscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverancier Device Pakket: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 0.87 mOhm @ 25A, 10V |
| Vermogensverlies (Max): | 291W |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | SOT-1023, 4-LFPAK |
| Andere namen: | 1727-1858-2 568-11554-2 568-11554-2-ND 934068233115 PSMN0R9-30YLDX-ND |
| Temperatuur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 7668pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 109nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan): | 4.5V, 10V |
| Drain naar de Bron Voltage (Vdss): | 30V |
| gedetailleerde beschrijving: | N-Channel 30V 300A 291W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 300A |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor PSMN0R9-30YLDX
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R0-40ULDX | Nexperia | PSMN1R0-40ULD/SOT1023/4 LEADS | Onderzoek |
 |
PSMN1R0-40YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK | Onderzoek |
 |
PSMN130-200D,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 200V 20A DPAK | Onderzoek |
|
PSMN085-150K,518 | Nexperia | MOSFET N-CH 150V 3.5A SOT96-1 | Onderzoek |
|
PSMN069-100YS,115 | Nexperia | MOSFET N-CH LFPAK | Onderzoek |
|
PSMN1R1-25YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Onderzoek |
|
PSMN165-200K,518 | Nexperia | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 | Onderzoek |
 |
PSMN0R7-25YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 25V LFPAK56 | Onderzoek |
|
PSMN0R9-30ULDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 300A 56LFPAK | Onderzoek |
 |
PSMN075-100MSEX | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 | Onderzoek |
|
PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Onderzoek |
|
PSMN1R0-30YLDX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Onderzoek |
|
PSMN0R9-25YLDX | Nexperia | PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | Onderzoek |
|
PSMN063-150D,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 150V 29A DPAK | Onderzoek |
 |
PSMN1R1-30EL,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | Onderzoek |
 |
PSMN070-200P,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB | Onderzoek |
|
PSMN102-200Y,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK | Onderzoek |
|
PSMN1R0-25YLDX | Nexperia | PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | Onderzoek |
 |
PSMN070-200B,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK | Onderzoek |
|
PSMN0R9-25YLC,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Onderzoek |
Latest Nieuws
- ARM verscheen in Computex 2024: Er wordt verwacht dat meer dan 100 miljard ARM -apparaten tegen het einde van 2025 voor AI kunnen worden gebruikt
- Qorvo lanceerde de uitstekende high -gain 5G MMIMO -voorlopers van de industrie in de industrie
- Simulatiecyclus Inventaris Bottom Out, AI Drijft de vraag naar flash -geheugen gaat door
- Micron's plan om een fabriek, NAND Flash -geheugen te bouwen tegen hoge prijzen of onderhoud
- ADI -prestaties zijn verminderd, koperen folie -substraten zijn gestegen, de opslag van de oorspronkelijke fabrieksverhoging productie conservatief
- De golf van intelligentie in de auto komt eraan en Aimus Oslang hielp Sagita Juguang de MX LiDar uit te brengen
- HBM -productiecapaciteit is uitgesloten, DRAM -geheugen kan schaars zijn in de tweede helft van het jaar
- Wall -oprichters zullen eindigen, HBM of ervoor zorgen dat DRAM opnieuw stijgt
- AI Mobiele telefoon en pc -uitbreiding Vraag, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Begrijp de behoeften van ADA's en cabinebewakingssystemen voor sensoren voor netwerkbeveiliging.
- Het gerucht gaat dat Samsung en SK Hynix DDR3 hebben gestopt, en de promotie -citaat steeg met 20 %
- Melexis uitgebracht MLX90427: Line Control to New Choice, veilig, efficiënt en economisch