JAN1N6625US is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor JAN1N6625US, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor JAN1N6625US per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop JAN1N6625US met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]
JAN1N6625US
- Onderdeel nummer:
- JAN1N6625US
- Fabrikant:
- Microsemi
- Beschrijving:
- DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
- Loodvrije status:
- Bevat lood / RoHS non-compliant
- Voorraadhoeveelheid:
- 22650 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days
- Doorlooptijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- JAN1N6625US.pdf
Invoering
bestek
| Staat | New & Original, tested |
|---|---|
| Land van herkomst | Contact us |
| Markeringscode | Send by email |
| Spanning - Forward (Vf) (Max) @ Als: | 1.75V @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): | 1100V |
| Leverancier Device Pakket: | D-5A |
| Snelheid: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Reverse Recovery Time (TRR): | 60ns |
| Packaging: | Bulk |
| Verpakking / doos: | SQ-MELF, A |
| Andere namen: | 1086-19977 1086-19977-MIL |
| Bedrijfstemperatuur - aansluiting: | -65°C ~ 150°C |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| diode Type: | Standard |
| gedetailleerde beschrijving: | Diode Standard 1100V 1A Surface Mount D-5A |
| Current - Reverse Lekkage @ Vr: | 1µA @ 1100V |
| Current - gemiddelde gelijkgerichte (Io): | 1A |
| Capaciteit @ Vr, F: | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor JAN1N6625US
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6627U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Onderzoek |
|
JAN1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | Onderzoek |
|
JAN1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Onderzoek |
|
JAN1N6622U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | Onderzoek |
|
JAN1N6623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | Onderzoek |
|
JAN1N6625 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Onderzoek |
 |
JAN1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | Onderzoek |
|
JAN1N6624 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL | Onderzoek |
|
JAN1N6622US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 660V 2A D5A | Onderzoek |
|
JAN1N6623 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | Onderzoek |
|
JAN1N6629 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL | Onderzoek |
|
JAN1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | Onderzoek |
 |
JAN1N6628US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B | Onderzoek |
|
JAN1N6623U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF | Onderzoek |
|
JAN1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | Onderzoek |
|
JAN1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | Onderzoek |
|
JAN1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | Onderzoek |
|
JAN1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | Onderzoek |
|
JAN1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | Onderzoek |
|
JAN1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | Onderzoek |
Latest Nieuws
- HBM -productiecapaciteit is uitgesloten, DRAM -geheugen kan schaars zijn in de tweede helft van het jaar
- Wall -oprichters zullen eindigen, HBM of ervoor zorgen dat DRAM opnieuw stijgt
- AI Mobiele telefoon en pc -uitbreiding Vraag, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Begrijp de behoeften van ADA's en cabinebewakingssystemen voor sensoren voor netwerkbeveiliging.
- Het gerucht gaat dat Samsung en SK Hynix DDR3 hebben gestopt, en de promotie -citaat steeg met 20 %
- Melexis uitgebracht MLX90427: Line Control to New Choice, veilig, efficiënt en economisch
- Het financiële rapport van NXP en Ansonmei heeft aangekondigd en de prijs van koperen prijzen wordt overgedragen aan de IC -industrie
- Mels Micro Electronics heeft een nieuwe kantoren opgezet in Taiwan, China om bedrijfsgebied uit te breiden
- De prestaties van Texas Instruments moeten nog worden gestimuleerd en de twee opslagfabrieken pushen nieuwe flash -geheugenproducten
- Het eerste kwartaal financieel rapport van de SEF Semiconductor (ST) neemt af en de vraag naar auto's is vertraagd
- De prestaties van Texas Instruments moeten nog worden gestimuleerd en de twee opslagfabrieken pushen nieuwe flash -geheugenproducten
- Lokaal volwassen chipvolume, Samsung Nand Flash -geheugenproductiecapaciteit nabij belasting