IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3GXKSA1
Onderdeel nummer:
IPP072N10N3GXKSA1
Fabrikant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
56367 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
IPP072N10N3GXKSA1.pdf

Invoering

IPP072N10N3GXKSA1 is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor IPP072N10N3GXKSA1, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor IPP072N10N3GXKSA1 per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop IPP072N10N3GXKSA1 met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 90µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vermogensverlies (Max):150W (Tc)
Packaging:Tube
Verpakking / doos:TO-220-3
Andere namen:IPP072N10N3 G
IPP072N10N3 G-ND
IPP072N10N3G
SP000680830
Temperatuur:-55°C ~ 175°C (TJ)
montage Type:Through Hole
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:4910pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan):6V, 10V
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):100V
gedetailleerde beschrijving:N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments