IPD088N06N3GBTMA1
IPD088N06N3GBTMA1
Onderdeel nummer:
IPD088N06N3GBTMA1
Fabrikant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
32769 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
IPD088N06N3GBTMA1.pdf

Invoering

IPD088N06N3GBTMA1 is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor IPD088N06N3GBTMA1, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor IPD088N06N3GBTMA1 per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop IPD088N06N3GBTMA1 met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 34µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.8 mOhm @ 50A, 10V
Vermogensverlies (Max):71W (Tc)
Packaging:Cut Tape (CT)
Verpakking / doos:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere namen:IPD088N06N3 GCT
IPD088N06N3 GCT-ND
IPD088N06N3GBTMA1CT
Temperatuur:-55°C ~ 175°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan):10V
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):60V
gedetailleerde beschrijving:N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments