IPB12CN10N G
IPB12CN10N G
Onderdeel nummer:
IPB12CN10N G
Fabrikant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
31524 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
IPB12CN10N G.pdf

Invoering

IPB12CN10N G is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor IPB12CN10N G, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor IPB12CN10N G per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop IPB12CN10N G met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 83µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Leverancier Device Pakket:D²PAK (TO-263AB)
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:12.6 mOhm @ 67A, 10V
Vermogensverlies (Max):125W (Tc)
Packaging:Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere namen:IPB12CN10N G-ND
IPB12CN10NG
SP000096450
Temperatuur:-55°C ~ 175°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:4320pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET Feature:-
Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan):10V
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):100V
gedetailleerde beschrijving:N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments