Nederland
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Over ons | Neem contact met ons op | Een citaat aanvragen |
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays > EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
Onderdeel nummer:
EPC2106ENGRT
Fabrikant:
EPC
Beschrijving:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
38617 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
EPC2106ENGRT.pdf
Onderzoek

Invoering

EPC2106ENGRT is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor EPC2106ENGRT, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor EPC2106ENGRT per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop EPC2106ENGRT met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 600µA
Leverancier Device Pakket:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 2A, 5V
Vermogen - Max:-
Packaging:Original-Reel®
Verpakking / doos:Die
Andere namen:917-EPC2106ENGRDKR
Temperatuur:-40°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikant Standaard Levertijd:16 Weeks
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:75pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.73nC @ 5V
FET Type:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):100V
gedetailleerde beschrijving:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments

Verwante onderdelen voor EPC2106ENGRT

Beeld Onderdeel nummer fabrikanten Beschrijving Uitzicht
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Onderzoek
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Onderzoek
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Onderzoek
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER Onderzoek
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Onderzoek
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Onderzoek
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Onderzoek
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Onderzoek
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Onderzoek
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Onderzoek
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Onderzoek

Latest Nieuws