EL8171S1(TU)-G is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor EL8171S1(TU)-G, we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor EL8171S1(TU)-G per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop EL8171S1(TU)-G met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]
EL8171S1(TU)-G
- Onderdeel nummer:
- EL8171S1(TU)-G
- Fabrikant:
- Everlight Electronics
- Beschrijving:
- OPTOISOLTR
- Loodvrije status:
- Loodvrij / RoHS-conform
- Voorraadhoeveelheid:
- 57558 Pieces
- Aflevertijd:
- 1-2 days
- Doorlooptijd:
- 4-8 weeks
- Data papier:
- EL8171S1(TU)-G.pdf
Invoering
bestek
| Staat | New & Original, tested |
|---|---|
| Land van herkomst | Contact us |
| Markeringscode | Send by email |
| Spanning - Vooruit (Vf) (Typ): | 1.2V |
| Leverancier Device Pakket: | 4-SMD |
| Serie: | * |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Verpakking / doos: | 4-SMD, Gull Wing |
| Andere namen: | 1080-1603-2 C110001785 |
| montage Type: | Surface Mount |
| Vochtgevoeligheidsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikant Standaard Levertijd: | 10 Weeks |
| Loodvrije status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| gedetailleerde beschrijving: | Optoisolator Output Channel 4-SMD |
| Email: | [email protected] |
Verwante onderdelen voor EL8171S1(TU)-G
| Beeld | Onderdeel nummer | fabrikanten | Beschrijving | Uitzicht |
|---|---|---|---|---|
 |
EL8172ISZ-T7 | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8172FSZ-T7 | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8171IS-T13 | Intersil | IC OPAMP INSTR 450KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8170IS-T7 | Intersil | IC OPAMP INSTR 192KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8172IS-T13 | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8172ISZ-T13 | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8173FSZ | Intersil | IC OPAMP INSTR 396KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8171IS | Intersil | IC OPAMP INSTR 450KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8172FSZ | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8170ISZ-T7 | Intersil | IC OPAMP INSTR 192KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8171IS-T7 | Intersil | IC OPAMP INSTR 450KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8172ISZ | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8171ISZ-T13 | Intersil | IC OPAMP INSTR 450KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8170ISZ-T13 | Intersil | IC OPAMP INSTR 192KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8171ISZ | Intersil | IC OPAMP INSTR 450KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8172FSZ-T7A | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8172IS | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8170ISZ | Intersil | IC OPAMP INSTR 192KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8172IS-T7 | Intersil | IC OPAMP INSTR 170KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
|
EL8171ISZ-T7 | Intersil | IC OPAMP INSTR 450KHZ RRO 8SOIC | Onderzoek |
Latest Nieuws
- Mels Micro Electronics heeft een nieuwe kantoren opgezet in Taiwan, China om bedrijfsgebied uit te breiden
- De prestaties van Texas Instruments moeten nog worden gestimuleerd en de twee opslagfabrieken pushen nieuwe flash -geheugenproducten
- Het eerste kwartaal financieel rapport van de SEF Semiconductor (ST) neemt af en de vraag naar auto's is vertraagd
- De prestaties van Texas Instruments moeten nog worden gestimuleerd en de twee opslagfabrieken pushen nieuwe flash -geheugenproducten
- Lokaal volwassen chipvolume, Samsung Nand Flash -geheugenproductiecapaciteit nabij belasting
- Vishay lanceert miniled verpakking Hoge helderheid Kleine blauwe en pure groene LED
- Ansonmei lanceerde een inductieve positie -sensor voor de industriële en transportmarkt
- Ruisa begint de oude fabriek om het stroomapparaat te vergroten, de aardbeving beïnvloedt DRAM -uitvoer mild
- Microchip maakt de productiecapaciteit van TSMC mogelijk en verhoogt de prijsstijgingen
- Ruisa lanceerde de nieuwe RA0 -serie Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis lanceert een volledige -geïntegreerde inductorschakelaar chip
- X-fab introduceert beeldsensor terug verlichtingstechnologie om de prestaties van de CMOS-sensor te verbeteren