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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±18V |
과학 기술: | GaNFET (Gallium Nitride) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220 |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 350 mOhm @ 5.5A, 8V |
전력 소비 (최대): | 65W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 760pF @ 480V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 8V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
상세 설명: | N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |