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SQ4949EY-T1_GE3
제품 모델:
SQ4949EY-T1_GE3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
재고 수량:
29269 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
SQ4949EY-T1_GE3.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:8-SOIC
연속:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):35 mOhm @ 5.9A, 10V
전력 - 최대:3.3W
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1020pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:30nC @ 10V
FET 유형:2 P-Channel (Dual)
FET 특징:Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):7.5A (Tc)
Email:[email protected]

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