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SQ4425EY-T1_GE3
- 제품 모델:
- SQ4425EY-T1_GE3
- 기술:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
- 재고 수량:
- 24250 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- SQ4425EY-T1_GE3.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (최대): | ±20V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | 8-SOIC |
| 연속: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 12 mOhm @ 13A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 6.8W (Tc) |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 3630pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
| FET 유형: | P-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
| 상세 설명: | P-Channel 30V 18A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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