SI7958DP-T1-GE3
SI7958DP-T1-GE3
제품 모델:
SI7958DP-T1-GE3
제조사:
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
21964 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
SI7958DP-T1-GE3.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
아이디 @ VGS (일) (최대):3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:PowerPAK® SO-8 Dual
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):16.5 mOhm @ 11.3A, 10V
전력 - 최대:1.4W
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:PowerPAK® SO-8 Dual
다른 이름들:SI7958DP-T1-GE3TR
SI7958DPT1GE3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:75nC @ 10V
FET 유형:2 N-Channel (Dual)
FET 특징:Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):40V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):7.2A
기본 부품 번호:SI7958
Email:[email protected]

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