SI7850ADP-T1-GE3은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 SI7850ADP-T1-GE3의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 SI7850ADP-T1-GE3에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 SI7850ADP-T1-GE3을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
조건 | New & Original, tested |
---|---|
원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.8V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PowerPAK® SO-8 |
연속: | TrenchFET® Gen IV |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
전력 소비 (최대): | 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | PowerPAK® SO-8 |
다른 이름들: | SI7850ADP-T1-GE3TR |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 790pF @ 30V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 60V |
상세 설명: | N-Channel 60V 10.3A (Ta), 12A (Tc) 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 10.3A (Ta), 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |