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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.8V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±25V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
전력 소비 (최대): | 1.3W (Ta) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들: | SI4800BDY-T1-GE3TR SI4800BDYT1GE3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 6.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |