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SI1012X-T1-E3
- 제품 모델:
- SI1012X-T1-E3
- 기술:
- MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 43040 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- SI1012X-T1-E3.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 900mV @ 250µA |
| Vgs (최대): | ±6V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | SC-89-3 |
| 연속: | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| 전력 소비 (최대): | 250mW (Ta) |
| 포장: | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스: | SC-89, SOT-490 |
| 다른 이름들: | SI1012X-T1-E3CT SI1012XT1E3 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 0.75nC @ 4.5V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
| 상세 설명: | N-Channel 20V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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