RYC002N05T316
RYC002N05T316
제품 모델:
RYC002N05T316
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
28155 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.RYC002N05T316.pdf2.RYC002N05T316.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
아이디 @ VGS (일) (최대):800mV @ 1mA
Vgs (최대):±8V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:SST3
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
전력 소비 (최대):350mW (Tc)
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들:RYC002N05T316CT
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:26pF @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):50V
상세 설명:N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SST3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):200mA (Ta)
Email:[email protected]

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