RN2111ACT(TPL3)
RN2111ACT(TPL3)
제품 모델:
RN2111ACT(TPL3)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
56439 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
RN2111ACT(TPL3).pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
원산지 Contact us
마킹 코드 Send by email
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):80mA
전압 - 파괴:CST3
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):50V
연속:-
RoHS 상태:Tape & Reel (TR)
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):10k
저항기 -베이스 (R1) (옴):-
전력 - 최대:100mW
편광:SC-101, SOT-883
다른 이름들:RN2111ACT(TPL3)TR
잡음 지수 (f에서 dB Typ):-
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:RN2111ACT(TPL3)
주파수 - 전환:120 @ 1mA, 5V
확장 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
기술:TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):150mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):PNP - Pre-Biased
Email:[email protected]

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