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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.2V @ 20µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
연속: | Automotive, AEC-Q101 |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 9 mOhm @ 10A, 10V |
전력 소비 (최대): | 30W (Tc) |
패키지 / 케이스: | 8-PowerWDFN |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
제조업체 표준 리드 타임: | 40 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 660pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 40V |
상세 설명: | N-Channel 40V 41A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 41A (Tc) |
Email: | [email protected] |