NCV7510DWR2G은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 NCV7510DWR2G의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 NCV7510DWR2G에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 NCV7510DWR2G을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
NCV7510DWR2G
- 제품 모델:
- NCV7510DWR2G
- 기술:
- IC PREDRIVER FLEXMOS 20-SOIC
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 25926 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- NCV7510DWR2G.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 전압 - 공급: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 제조업체 장치 패키지: | 20-SOIC |
| 연속: | FLEXMOS™ |
| 상승 / 하강 시간 (일반): | - |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 작동 온도: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 입력 주파수: | 1 |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 논리 전압 - VIL, VIH: | 0.8V, 2.2V |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 유형: | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩): | 50V |
| 게이트 유형: | N-Channel MOSFET |
| 구동 구성: | High-Side |
| 상세 설명: | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 20-SOIC |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크): | - |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대): | Single |
| 기본 부품 번호: | NCV7510 |
| Email: | [email protected] |
NCV7510DWR2G에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- HBM 생산 능력은 제외되며, DRAM 메모리는 하반기에 공급이 부족할 수 있습니다.
- 벽 창립자들은 끝나고 HBM 또는 DRAM이 다시 상승하게됩니다.
- AI 휴대 전화 및 PC 확장 수요, 글로벌 반도체 제조 산업 개선
- 네트워크 보안 이미지 센서에 대한 ADA 및 캐빈 모니터링 시스템의 요구 사항 이해
- Samsung과 Sk Hynix가 DDR3을 멈추고 프로모션 견적이 20 % 증가했다는 소문이 있습니다.
- Melexis는 MLX90427 : 라인 제어에 새로운 선택, 안전하고 효율적이며 경제적 인 출시
- NXP와 Ansonmei의 재무 보고서가 발표되었으며 구리 가격의 가격은 IC 산업으로 전달됩니다.
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하