MBRT200150R은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 MBRT200150R의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 MBRT200150R에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 MBRT200150R을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
MBRT200150R
- 제품 모델:
- MBRT200150R
- 기술:
- DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 55312 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- MBRT200150R.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 전압 - 피크 역 (최대): | Schottky |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대): | 1 Pair Common Anode |
| 전압 - 파괴: | Three Tower |
| 속도: | 100A |
| 연속: | - |
| RoHS 상태: | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 편광: | Three Tower |
| 실장 형: | Chassis Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 4 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | MBRT200150R |
| 확장 설명: | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 100A Chassis Mount Three Tower |
| 다이오드 구성: | 1mA @ 150V |
| 기술: | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향: | 880mV @ 100A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당): | 150V |
| VR, F @ 용량: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
MBRT200150R에 대한 관련 부품
| 영상 | 제품 모델 | 제조업체 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
MBRT20020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT200150 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER | 문의 |
|
MBRT20030 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT200100R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT20035R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT20020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT12045 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 45V 120A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT12060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 60V 120A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT200200 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER | 문의 |
|
MBRT20030R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT20040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT12060R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 60V 120A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT12080R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT12045R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 45V 120A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT200100 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT20035 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 35V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT20040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT12080 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT12040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 40V 120A 3TOWER | 문의 |
|
MBRT200200R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER | 문의 |
Latest 뉴스
- 네트워크 보안 이미지 센서에 대한 ADA 및 캐빈 모니터링 시스템의 요구 사항 이해
- Samsung과 Sk Hynix가 DDR3을 멈추고 프로모션 견적이 20 % 증가했다는 소문이 있습니다.
- Melexis는 MLX90427 : 라인 제어에 새로운 선택, 안전하고 효율적이며 경제적 인 출시
- NXP와 Ansonmei의 재무 보고서가 발표되었으며 구리 가격의 가격은 IC 산업으로 전달됩니다.
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하
- Vishay는 최소 포장을 발사합니다. 높은 밝기 작은 파란색과 순수한 녹색 LED
- Ansonmei는 산업 및 운송 시장을위한 유도 포지션 센서를 시작했습니다.
- Ruisa는 전력 장치를 늘리기 위해 오래된 공장을 시작하고 지진은 DRAM 출력에 영향을 미칩니다.