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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 1mA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 18-ULCC (9.14x7.49) |
연속: | Military, MIL-PRF-19500/601 |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 364 mOhm @ 5.5A, 12V |
전력 소비 (최대): | 25W (Tc) |
패키지 / 케이스: | 18-CLCC |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C |
실장 형: | Surface Mount |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 50nC @ 12V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 12V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 200V |
상세 설명: | N-Channel 200V 5.5A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 5.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |