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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±15V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-263-7 |
연속: | TrenchT4™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 1 mOhm @ 100A, 10V |
전력 소비 (최대): | 480W (Tc) |
패키지 / 케이스: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
제조업체 표준 리드 타임: | 24 Weeks |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 13400pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 36V |
상세 설명: | N-Channel 36V 380A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263-7 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 380A (Tc) |
Email: | [email protected] |