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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 200µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | Thin-Pak (8x8) |
연속: | CoolMOS™ E6 |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
전력 소비 (최대): | 63W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 4-PowerTSFN |
다른 이름들: | SP000895212 |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 2A (4 Weeks) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 440pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 650V |
상세 설명: | N-Channel 650V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount Thin-Pak (8x8) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |