GB02SHT01-46은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 GB02SHT01-46의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 GB02SHT01-46에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 GB02SHT01-46을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
GB02SHT01-46
- 제품 모델:
- GB02SHT01-46
- 기술:
- DIODE SCHOTTKY 100V 4A
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 26215 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- GB02SHT01-46.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우: | 1.6V @ 1A |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대): | 100V |
| 제조업체 장치 패키지: | TO-46 |
| 속도: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 연속: | - |
| 역 회복 시간 (trr): | 0ns |
| 포장: | Bulk |
| 패키지 / 케이스: | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| 다른 이름들: | 1242-1254 |
| 작동 온도 - 정션: | -55°C ~ 225°C |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 18 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 다이오드 유형: | Silicon Carbide Schottky |
| 상세 설명: | Diode Silicon Carbide Schottky 100V 4A (DC) Through Hole TO-46 |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향: | 5µA @ 100V |
| 전류 - 평균 정류 (Io): | 4A (DC) |
| VR, F @ 용량: | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
GB02SHT01-46에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하
- Vishay는 최소 포장을 발사합니다. 높은 밝기 작은 파란색과 순수한 녹색 LED
- Ansonmei는 산업 및 운송 시장을위한 유도 포지션 센서를 시작했습니다.
- Ruisa는 전력 장치를 늘리기 위해 오래된 공장을 시작하고 지진은 DRAM 출력에 영향을 미칩니다.
- 마이크로 칩은 TSMC의 생산 능력을 가능하게하고 가격 인상
- Ruisa는 새로운 RA0 시리즈 Ultra -Low Power Entry -Level MCU를 출시했습니다.
- Melexis는 완전 통합 인덕터 스위치 칩을 출시합니다
- X-Fab