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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | 90ns |
전압 - 공급: | 2 V ~ 3.6 V |
과학 기술: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
제조업체 장치 패키지: | 44-TSOP II |
연속: | F-RAM™ |
포장: | Tray |
패키지 / 케이스: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
메모리 유형: | Non-Volatile |
메모리 크기: | 2Mb (128K x 16) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
메모리 형식: | FRAM |
제조업체 표준 리드 타임: | 9 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 90ns 44-TSOP II |
액세스 시간: | 90ns |
Email: | [email protected] |