FDD13AN06A0_F085
FDD13AN06A0_F085
제품 모델:
FDD13AN06A0_F085
제조사:
Fairchild/ON Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
57521 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
FDD13AN06A0_F085.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
전압 - 테스트:1350pF @ 25V
전압 - 파괴:TO-252AA
아이디 @ VGS (일) (최대):13.5 mOhm @ 50A, 10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RoHS 상태:Tube
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):9.9A (Ta), 50A (Tc)
편광:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:FDD13AN06A0_F085
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:29nC @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:4V @ 250µA
FET 특징:N-Channel
확장 설명:N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
소스 전압에 드레인 (Vdss):-
기술:MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):60V
용량 비율:115W (Tc)
Email:[email protected]

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