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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
제조업체 장치 패키지: | 9-BGA (1.35x1.35) |
연속: | eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
전력 - 최대: | - |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 9-VFBGA |
다른 이름들: | 917-1168-2 |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 14 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
FET 유형: | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET 특징: | GaNFET (Gallium Nitride) |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
상세 설명: | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 1.7A, 500mA |
Email: | [email protected] |